低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理
低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理
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ISBN:9787511446381
作者:陈国祥,王豆豆
出版社:中国石化出版社
出版日期:2017-09-01

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产品特色

内容简介

  《低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理》系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括7章:第1章为本书概述;第2章详细地介绍了*一性原理方法;第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理。

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作者简介

  陈国祥,男,1979年3月出生,博士,副教授(校聘教授岗位),硕士研究生导师,“新型半导体光电子材料及器件”青年科研创新团队带头人。西安石油大学“青年拔尖人才”,陕西省“青年科技新星”,国家自然科学基金项目同行评议专家,陕西省物理学会会员。2015年起享受陕西省“三秦人才”政府津贴。2015年1月至2016年1月在美国佛罗里达大学物理系进行合作科学研究(访问学者)。王豆豆, 2012年毕业于中国科学院西安光学精密机械研究所,获理学博士学位,现为西安科技大学理学院教师。主要从事纳米聚合物材料结构和物性的理论研究。曾作为主要参与者承担了国家自然科学基金项目“光学聚合物/二氧化钛有序结构化新材料的设计、制备及应用基础研究”的大部分研究工作。曾获陕西省高等学校科学技术一等奖。合作出版教材4部,先后发表学术论文10篇,其中SCI收录8篇,EI收录2篇。


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目录

第1章 概述

第2章 理论计算基础

第3章 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构、电子特性和磁性

第4章  GaN纳米带的结构和电子性质

第5章 过渡金属吸附二维GaN单层纳米片的电子结构和磁性

第6章 过渡金属掺杂GaN单层纳米片磁性起源机理

第7章 二维GaN/SiC纳米片: 界面电子和磁学特性以及电场响应

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