宋廷强，青岛科技大学信息科学技术学院副院长兼大数据学院副院长，博士，硕士生导师，中国计算机学会会员，山东省计算机学会机器人专委会委员。长期从事集成电路设计、嵌入式系统设计、3D打印、计算机控制技术、人工智能等领域的教学与科研工作。参研或主持国家863计划项目、国家自然科学基金项目、山东省重点研发项目、山东省自然科学基金项目、青岛市科技规划项目等10余项，获发明专利5项、实用新型专利3项、软件著作权10项，主编教材3部，译著4部，发表论文30多篇，获得过省计算机应用成果三等奖、青岛市科技进步二等奖等奖项，指导学生科技创新获奖40多项。

本书是微电子电路设计领域的一部大作，作者具有丰富的业界设计经验，经过连续5版的不断改进，已经成为微电子电路设计领域的权威教材及工具书。书中涉及范围广泛，将数字电路或者模拟电路部分单独拿出来都可以自成体系，单独学习。为了方便国内读者学习，翻译时拆分成3卷，分别是《深入理解微电子电路设计——电子元器件原理及应用（原书第5版）》《深入理解微电子电路设计——数字电子技术及应用（原书第5版）》和《深入理解微电子电路设计——模拟电子技术及应用（原书第5版）》。
本书全面讲述了微电子电路的基础知识及其应用技术，书中没有简单罗列各种元器件或者电路，而是关注于让读者理解元器件或电路背后的基本概念、设计方法和仿真验证手段，从全局上把握微电子电路的发展、现状及主要技术等内容。全书内容覆盖了固态电子学、半导体器件、数字电路及模拟电路领域的主要内容，读者可以更好地理解和把握微电子电路的设计方法和设计理念。本书强调微电子电路的设计与分析，使其更适合用作高校电子信息、电气工程、计算机及工程技术类相关专业的教材，还可用作工程技术设计人员的参考书。

第1章 数字电子电路简介
1.1 理想逻辑门
1.2 逻辑电平和噪声容限
1.2.1 逻辑电平
1.2.2 噪声容限
1.2.3 逻辑门的设计目标
1.3 逻辑门的动态响应
1.3.1 上升时间和下降时间
1.3.2 传输延迟
1.3.3 功耗-延迟积
1.4 布尔代数回顾
1.5 NMOS逻辑设计
1.5.1 带负载电阻的NMOS反相器
1.5.2 Ms的W/L设计
1.5.3 负载电阻设计
1.5.4 负载线的可视化
1.5.5 开关器件的导通电阻
1.5.6 噪声容限分析
1.5.7 VIL和VOH的计算
1.5.8 VIH和VOL的计算
1.5.9 电阻负载反相器噪声容限
1.5.10 负载电阻问题
1.6 晶体管替代负载电阻方案
1.6.1 NMOS饱和负载反相器
1.6.2 带线性负载设备的NMOS反相器
1.6.3 带耗尽型负载的NMOS反相器
1.7 NMOS反相器小结与比较
1.8 速度饱和对静态反相器设计的影响
1.8.1 开关晶体管设计
1.8.2 负载晶体管设计
1.8.3 速度饱和影响小结
1.9 NMOS与非门及或非门
1.9.1 或非门
1.9.2 与非门
1.9.3 NMOS耗尽型工艺中的或非门及与非门版图
1.10 复杂NMOS逻辑设计
1.11 功耗
1.11.1 静态功耗
1.11.2 动态功耗
1.11.3 MOS逻辑门的功率缩放
1.12 MOS逻辑门的动态特性
1.12.1 逻辑电路中的电容
1.12.2 带阻性负载的NMOS反相器的动态响应
1.12.3 比较NMOS延迟反相器
1.12.4 速度饱和对反相器延迟的影响
1.12.5 基于参考电路仿真的缩放
1.12.6 固有门延迟的环形振荡器测量法
1.12.7 无负载反相器的延迟
1.13 PMOS逻辑
1.13.1 PMOS反相器
1.13.2 与非门和或非门
小结
关键词
参考文献
扩展阅读
习题
第2章 CMOS逻辑电路设计
2.1 CMOS反相器
2.2 CMOS反相器的静态特性
2.2.1 CMOS电压传输特性
2.2.2 CMOS反相器的噪声容限
2.3 CMOS反相器的动态特性
2.3.1 传播延迟估计
2.3.2 上升时间和下降时间
2.3.3 按性能等比例缩放
2.3.4 速度饱和效应对CMOS反相器延迟的影响
2.3.5 级联反相器延迟
2.4 CMOS功耗及功耗-延迟积
2.4.1 静态功耗
2.4.2 动态功耗
2.4.3 功耗-延迟积
2.5 CMOS或非门和与非门
2.5.1 CMOS或非门
2.5.2 CMOS与非门
2.6 CMOS复杂门电路设计
2.7 逻辑门的最小尺寸设计及性能
2.8 级联缓冲器
2.8.1 级联缓冲器延迟模型
2.8.2 最优级数
2.9 CMOS传输门
2.10 双稳态电路
2.10.1 双稳态锁存器
2.10.2 RS触发器
2.10.3 采用传输门的D锁存器
2.1O.4 主从D触发器
2.11 CMOS闩锁效应
小结
关键词
参考文献
习题
第3章 MOS存储器及其电路
3.1 随机存取存储器
3.1.1 RAM存储器架构
3.1.2 256Mb存储器芯片
3.2 静态存储器单元
3.2.1 内存单元的隔离和访问（6-T单元）
3.2.2 读操作
3.2.3 向6-T单元写数据
3.3 动态存储单元
3.3.1 1-T单元
3.3.2 1-T单元的数据存储
3.3.3 1-T单元的数据读取
3.3.4 4-T单元
3.4 感测放大器
3.4.1 6-T单元的感测放大器
3.4.2 1-T单元的感测放大器
3.4.3 升压字线电路
3.4.4 钟控CMOS感测放大器
3.5 地址译码器
3.5.1 或非门译码器
3.5.2 与非门译码器
3.5.3 传输管列译码器
3.6 只读存储器
3.7 闪存
3.7.1 浮栅技术
3.7.2 NOR电路实现
3.7.3 NAND电路实现
小结
关键词
参考文献
习题
第4章 双极型逻辑电路
4.1 电流开关（发射极耦合对）
4.1.1 电流开关静态特性的数学模型
4.1.2 对于υⅠ＞VREF的电流开关分析
4.1.3 υⅠ＜VREF时的电流开关分析
4.2 发射极耦合逻辑门
4.2.1 υⅠ=VH时的ECL门
4.2.2 υⅠ=VI时的ECL门
4.2.3 ECL门的输入电流
4.2.4 ECL小结
4.3 ECL门的噪声容限分析
4.3.1 VIL、VOH、VIH和VOL
4.3.2 噪声容限
4.4 电流源的实现
4.5 ECL或-或非门
4.6 射极跟随器
4.7 “发射极点接”及“线或”逻辑
4.7.1 射极跟随器输出的并联连接
4.7.2 “线或”逻辑函数
4.8 ECL功耗-延迟特性
4.8.1 功耗
4.8.2 门延迟
4.8.3 功耗-延迟积
4.9 正射极耦合逻辑
4.10 电流型逻辑
4.10.1 CML逻辑门
4.10.2 CML逻辑电平
4.10.3 VFF供电电压
4.10.4 高电平CML
4.10.5 降低CML功耗
4.10.6 源极耦合FET逻辑
4.11 饱和双极型反相器
4.11.1 静态反相器特性
4.11.2 双极型晶体管的饱和电压
4.11.3 负载线可视化
4.11.4 饱和BJ