第三代半导体材料发展态势分析项目组隶属于战略前沿科技团队，是中国科学院文献情报中心情报研究团队之一。该团队长期以来围绕半导体行业（集成电路工艺及装备、先进信息材料及技术、后摩尔时代的交叉融合等）开展行业发展战略、政策以及技术态势与技术竞争格局分析。在该领域的主要情报研究产品包括《集微技术信息简报》（双月）、《年度半导体器件类公开/公告专利分析》（系列）、《集成电路关键工艺技术分析》（系列）、《集成电路光刻技术分析》（系列）等。面向该行业管理人员、科研人员、科技管理者以及规划制定者提供全面、及时、高效的情报研究支撑服务。

按照国家科技图书文献中心为国家“十三五”规划中的国家重点研发计划开展科技信息支撑和保障服务的战略部署，结合“战略性先进电子材料”重点专项及中国科学院文献情报中心情报分析与服务特色和优势，本书遴选了第三代半导体材料领域作为研究对象。本书调研了主要科技发达国家制定的第三代半导体材料相关科技政策；对以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表的关键材料领域开展研发技术专利、相关行业产业化应用及市场调研和分析；嵌入机器学习方法，突破传统情报研究与服务范式，重点对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）进行了热点研究方向判断和分析，以期为我国第三代半导体材料及相关技术发展提供参考，为突破摩尔定律极限、集成电路“卡脖子”技术提供一个发现问题、解决问题的视角。

目?录


第1章?绪论  / 1
1．1　研究背景  / 1
1．2　研究内容和方法  / 2
1．2．1?研究内容  / 2
1．2．2?研究方法  / 2
1．3　数据来源  / 3
1．4　术语解释  / 4
1．5　其他说明  / 6
第2章?第三代半导体材料相关科技政策  / 7
2．1?美国第三代半导体材料相关科技政策  / 10
2．1．1　宽禁带半导体技术计划  / 13
2．1．2　下一代电力电子技术国家制造业创新中心和
电力美国制造业创新中心  / 14
2．1．3　电子复兴计划  / 18
2．1．4　CIRCUITS计划  / 22
2．2　欧洲第三代半导体材料相关科技政策  / 24
2．2．1　LAST POWER产学研项目  / 27
2．2．2　微电子联合研究和创新项目  / 28
2．3　日本第三代半导体材料相关科技政策  / 30
2．3．1　下一代功率半导体封装技术开发联盟  / 31
2．3．2　NEDO启动功率电子领域新研究  / 32
2．3．3　有助于实现节能社会的新一代半导体研究
开发项目  / 32
2．4　韩国第三代半导体材料相关科技政策  / 33
2．5　中国第三代半导体材料相关科技政策  / 34
2．5．1　“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”
重大专项  / 36
2．5．2　“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”
重大专项  / 36
2．5．3　“战略性先进电子材料”重点专项  / 37
第3章?碳化硅半导体材料  / 41
3．1?碳化硅半导体材料研究背景  / 41
3．2?碳化硅半导体材料专利分析  / 42
3．2．1　专利申请时间分析  / 42
3．2．2　专利技术构成分析  / 44
3．2．3?专利申请国家/地区分析  / 46
3．2．4　专利申请人分析  / 51
3．2．5　在华专利分析  / 55
3．3　碳化硅半导体材料专利主题分析  / 61
3．3．1　碳化硅半导体材料专利研究主题分析  / 61
3．3．2　碳化硅半导体材料专利主要研究主题分析  / 69
3．4　碳化硅半导体材料专利被引科学文献分析  / 82
3．4．1　被引科学文献的文献类型分析  / 83
3．4．2　被引科学文献的时间趋势分析  / 83
3．4．3　被引科学文献的来源机构分析  / 84
3．4．4　被引科学文献的来源出版物分析  / 86
3．4．5　被引科学文献的高被引科学论文分析  / 87
3．4．6　被引科学文献的来源研究领域分析  / 103
3．4．7　被引科学文献的研究主题分析  / 104
3．5　碳化硅半导体材料小结  / 106
第4章?氮化镓半导体材料  / 41
4．1?氮化镓半导体材料研究背景  / 109
4．2　氮化镓半导体材料专利分析  / 110
4．2．1　专利申请时间分析  / 110
4．2．2　专利技术构成分析  / 113
4．2．3　专利申请国家/地区分析  / 117
4．2．4　专利申请人分析  / 119
4．2．5　在华专利分析  / 127
4．3　氮化镓半导体材料专利主题分析  / 130
4．3．1　氮化镓半导体材料专利技术演进分析  / 130
4．3．2　氮化镓半导体材料专利研究主题分析  / 135
4．3．3　氮化镓半导体材料专利主要研究主题分析  / 149
4．4　氮化镓半导体材料专利被引科学文献分析  / 175
4．4．1　被引科学文献的文献类型分析  / 175
4．4．2　被引科学文献的时间趋势分析  / 176
4．4．3　被引科学文献的来源机构分析  / 176
4．4．4　被引科学文献的来源出版物分析  / 178
4．4．5　被引科学文献的高被引科学论文分析  / 179
4．4．6　被引科学文献的来源研究领域分析  / 191
4．4．7　被引科学文献的研究主题分析  / 192
4．5　氮化镓半导体材料小结  / 193
第5章?氮化铝半导体材料  / 197
5．1　氮化铝半导体材料研究背景  / 197
5．2　氮化铝半导体材料专利分析  / 198
5．2．1　专利申请时间分析  / 198
5．2．2　专利技术构成分析  / 199
5．2．3　专利申请国家/地区分析  / 206
5．2．4　专利申请人分析  / 208
5．2．5　在华专利分析  / 215
5．3　氮化铝半导体材料小结  / 222
第6章?氧化锌半导体材料  / 225
6．1?氧化锌半导体材料研究背景  / 225
6．2?氧化锌半导体材料专利分析  / 226
6．2．1　专利申请时间分析  / 226
6．2．2　专利技术构成分析  / 227
6．2．3　专利申请国家/地区分析  / 231
6．2．4　专利申请人分析  / 233
6．2．5　在华专利分析  / 240
6．3　氧化锌半导体材料小结  / 243
第7章?金刚石半导体材料  / 245
7．1　金刚石半导体材料研究背景  / 245
7．2　金刚石半导体材料专利分析  / 246
7．2．1　专利申请时间分析  / 246
7．2．2　专利技术构成分析  / 247
7．2．3　专利申请国家/地区分析  / 252
7．2．4　专利申请人分析  / 252
7．2．5　在华专利分析  / 260
7．3　金刚石半导体材料小结  / 263
第8章?结论及建议  / 265
8．1　发展态势总结  / 265
8．1．1　专利申请时间趋势和技术成熟度  / 265
8．1．2　专利技术构成和重点研究领域  / 265
8．1．3　专利申请国家/地区  / 266
8．1．4　专利主要申请人  / 266
8．1．5　在华专利  / 267
8．1．6　被引科学文献  / 267
8．2　存在问题  / 267
8．2．1　研究机构数量多但规模不大  / 268
8．2．2　研究机构缺乏合作  / 268
8．2．3　原始创新现状惨淡  / 268
8．3　对策建议  / 269
8．3．1　集中优势资源扶持龙头企业和研究机构  / 269
8．3．2　借力市场，促进产业技术升级  / 269
8．3．3　注重全产业链和产业环境的建设  / 270
8．3．4　明确产业规划，强化顶层设计  / 270
参考文献  / 273