第一章 绪论
1．1 Sb基化合物半导体材料特性及生长技术
1．2 InAs／A1Sb异质结材料优势
1．3 InAs／A1Sb HEMT器件的研究进展
1．4 本书研究内容和安排
第二章 HEMT器件基础理论
2．1 半导体异质结
2．2 调制掺杂和2DEG
2．2．1 调制掺杂
2．2．2 二维电子气量子化
2．2．3 势阱中的二维电子气面密度
2．3 金属半导体界面
2．3．1 欧姆接触
2．3．2 肖特基接触
2．3．3 费米能级钉扎效应
2．4 InAs／A1Sb HEMT器件工作原理
2．4．1 HEMT器件直流特性
2．4．2 HEMT器件交流特性
2．5 HEMT器件中容易出现的问题
2．6 本章小结
第三章 InAs／AISb HEMT器件二维物理仿真
3．1 器件物理模型
3．1．1 流体动力学模型
3．1．2 电场迁移率模型
3．1．3 (肖特基)电子隧穿模型
3．1．4 碰撞离化模型
3．2 单δ掺杂和双δ掺杂外延结构的器件性能比较
3．2．1 外延结构和器件模型构建
3．2．2 掺杂对器件性能的影响
3．3 碰撞离化对器件性能的影响
3．4 HEMT器件低温特性研究
3．4．1 器件模型设定
3．4．2 温度变化对器件性能影响
3．5 本章小结
第四章 InAs／AISb HEMT器件外延材料的生长
4．1 晶格匹配材料和赝配材料
4．2 分子束外延生长MBE
4．3 InAs／A1Sb HEMT器件的外延结构设计
4．4 InAs／AlSb HEMT外延材料生长
4．4．1 InSb界面和A1Sb界面
4．4．2 InAs／A1Sb HEMT器件材料生长
4．5 InAs／A1Sb HEMT器件外延结构的表征
4．5．1 Hall(霍尔)测试
4．5．2 AFM测试
4．5．3 XRD测试
4．6 本章小结
第五章 InAs／AISb HEMT器件制作
5．1 InAs／A1Sb HEMT器件制造流程图
5．2 欧姆接触
5．2．1 源漏寄生电阻对HEMT器件的影响
5．2．2 TLM模型
5．2．3 合金
5．2．4 非合金
5．3 台面隔离
5．3．1 湿法台面隔离
5．3．2 干法台面隔离
5．4 肖特基接触
5．4．1 栅槽形成
5．4．2 淀积金属
5．5 InAs／A1Sb HEMT性能测试
5．6 本章小结
第六章 总结与展望
6．1 总结
6．2 展望
参考文献
后记
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