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书       名 :
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出版时间 :
图解入门 功率半导体基础与工艺精讲 原书第3版
0.00     定价 ¥ 99.00
浙江图书馆
  • ISBN:
    9787111737964
  • 作      者:
    佐藤淳一
  • 出 版 社 :
    机械工业出版社
  • 出版日期:
    2023-12-01
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编辑推荐

当前IGBT/SiC/GaN的研究进展及未来趋势探析
借鉴日本功率半导体制造的经验
剖析从水银整流器进化到IGBT的原因
兼顾高电压与高速度
脱碳社会与功率半导体
实现快速高效充电的SiC逆变器
为何GaN比SiC性能更优秀/6英寸SiC量产/4英寸GaN实证
日本半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀

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作者简介

佐藤淳一,毕业于京都大学工学研究科,并获得硕士学位。1978年开始就职于东京电气化学工业株式会社(现TDK),1982年开始就职于索尼公司。一直从事半导体和薄膜器件相关工艺的研究开发工作。在此期间,参与创建半导体技术公司,担任长崎大学兼职讲师、行业协会委员等职位,同时也是应用物理学会员。


朱光耀,毕业于南京大学微电子与固体电子学专业,博士学位。目前在南京邮电大学电子与光学工程学院,从事基础教学工作。


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目录

前言
词语表述和阅读方法说明
第1章 功率半导体的全貌/
1-1功率半导体到底是什么/
1-2把功率半导体比作人的身体/
1-3身边的功率半导体/
1-4电子信息产业中功率半导体的定位/
1-5半导体器件中的功率半导体/
1-6晶体管构造的差异/
第2章 功率半导体的基本原理/
2-1半导体的基本原理/
2-2关于PN结/
2-3晶体管的基本原理/
2-4双极型晶体管的基本原理/
2-5MOS晶体管的基本原理/
2-6功率半导体的历史回顾/
2-7功率型MOSFET的登场/
专栏:单面与双面/
2-8双极型晶体管与MOSFET的结合——IGBT的登场/
2-9信号转换/
第3章 各种功率半导体的原理和作用/
3-1单向导通的二极管/
3-2大电流双极型晶体管/
3-3双向晶闸管/
3-4具有高速开关特性的功率型MOSFET/
3-5环保时代的IGBT/
3-6功率半导体课题的探索/
第4章 功率半导体的用途与市场/
4-1功率半导体的市场规模/
4-2电力基础设施与功率半导体/
4-3交通工具与功率半导体/
4-4汽车与功率半导体/
4-5办公与功率半导体/
4-6家用电器与功率半导体/
第5章 功率半导体的分类/
5-1按用途分类/
5-2按材料分类/
5-3按构造、原理分类/
5-4从额定参数看功率半导体/
第6章 用于功率半导体的硅片/
6-1硅片是什么/
6-2硅片的制造方法与差异/
6-3FZ硅晶体的特点/
6-4FZ硅片为何重要/
6-5硅材料的局限/
第7章 功率半导体制造工艺的特点/
7-1功率半导体与集成电路的区别/
7-2器件构造的研究/
7-3外延生长法的广泛应用/
7-4正反面曝光工艺/
专栏:关于校准器的回忆/
7-5反面杂质激活/
7-6晶圆减薄工艺/
7-7后段工艺与前段工艺的差异/
7-8切割工艺的小差异/
7-9芯片键合工艺的特点/
7-10引线键合使用更宽的引线/
7-11封装材料的不同/
第8章 功率半导体生产企业介绍/
8-1摩尔定律路线图走到尽头/
专栏:路线图就是领跑者/
8-2气势高涨的“日之丸”功率半导体/
8-3保持垂直统合模式的综合性电气企业/
8-4专业企业如何生存/
8-5欧洲生产企业是垂直统合模式吗/
专栏:以创始人名字命名的公司/
8-6美国企业的动向/
第9章 硅基功率半导体的发展/
9-1功率半导体的时代/
9-2IGBT所要求的性能/
9-3穿通与非穿通型IGBT/
9-4场截止型IGBT的登场/
9-5IGBT的发展趋势探索/
9-6功率半导体在智能功率模块(IPM)中的进展/
9-7冷却与功率半导体/
第10章 挑战硅极限的碳化硅与氮化镓/
10-18英寸碳化硅晶圆的出现/
10-2碳化硅晶圆的制造方法/
10-3碳化硅的优点与研究课题有哪些/
10-4实用性不断提升的碳化硅晶片/
10-5氮化镓晶圆的难题——异质外延/
10-6氮化镓的优点与挑战/
10-7氮化镓常闭型器件的挑战/
10-8晶圆生产企业的动向/
专栏:时代总是在循环/
第11章 功率半导体开拓的碳减排时代/
11-1碳减排时代与功率半导体/
11-2对可再生能源而言不可或缺的功率半导体/
11-3智能电网与功率半导体/
11-4电动汽车(EV)与功率半导体/
11-5 21世纪交通基础设施与功率半导体/
11-6跨领域的功率半导体技术令人期待/
专栏:基础材料和核心器件/
参考文献/


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