关赫，博士，硕士研究生导师。毕业于西安电子科技大学，长期从事微电子集成电路方向研究，主持多项重量及省部级项目，发表论文10余篇，申请专利10余项，具有丰富的研发管理经验。

第一章 绪论
1．1 引言
1．2 InAs/AlSb HEMTs器件特点
1．3 InAs/AlSb HEMTs射频器件研究状况
1．4 对InAs/AlSb HEMTs的研究存在的问题
1．5 本书主要内容安排

第二章 InAs/AlSb异质结外延材料特性及工艺
2．1 异质结能带结构
2．2 InAs/AlSb异质结外延材料特性仿真
2．3 InAs/AlSb异质结外延材料生长

第三章 InAs/AlSb HEMTs器件特性及工艺
3．1 器件结构及工作原理
3．2 InAs/AlSb HEMTs器件特性及机理
3．3 InAs/AlSb HEMTs器件性能仿真
3．4 InAs/AlSb HEMTs制备工艺研究
3．5 测试结果分析

第四章 InAs/AlSb MOS-HEMTs基础研究
4．1 high-k/InAlAs MOS电容隔离栅
4．2 high-k/InAlAs MOS电容工艺及特性
4．3 InAs/AlSb MOS-HEMTs器件物理仿真

第五章 InAs/AlSb HEMTs器件模型
5．1 小信号等效电路模型理论
5．2 InAs/AlSb HEMTs器件小信号等效电路模型
5．3 InAs/AlSb HEMTs噪声模型
5．4 InAs/AlSb HEMTs器件碰撞离化效应模型表征

第六章 InAs/AlSb HEMTs低噪声放大器设计
6．1 LNA关键指标
6．2 匹配理论
6．3 常见的LNA电路结构
6．4 Ku波段InAs/AlSb HEMTs LNA设计

第七章 总结和展望
7．1 总结
7．2 展望

参考文献