搜索
高级检索
高级搜索
书       名 :
著       者 :
出  版  社 :
I  S  B  N:
出版时间 :
硅基锗材料生长与器件构筑
0.00     定价 ¥ 46.00
浙江图书馆
  • ISBN:
    9787566126481
  • 作      者:
    陈城钊
  • 出 版 社 :
    哈尔滨工程大学出版社
  • 出版日期:
    2020-04-01
收藏
目录
第1章 绪论
1.1 研究背景和意义
1.2 Si基Ge外延生长的研究进展与存在的问题
1.3 Si基Ge材料的器件应用与存在的问题
1.4 本书主要内容
参考文献

第2章 Si基Ge材料的外延生长
2.1 材料生长系统及表征方法
2.2 高质量Si基Ge材料的制备
2.3 本章小结
参考文献

第3章 Si基Ge材料的原位掺杂
3.1 Si基Ge原位掺杂B和P的理论模型
3.2 Si基Ge材料中B和P的原位掺杂
3.3 退火对原位P掺杂Ge材料的影响
3.4 本章小结
参考文献

第4章 Ni与Si基n-Ge接触的热稳定性与电学特性
4.1 Ni/n-Ge接触的热稳定性
4.2 Ni/n-Ge接触的电学特性
4.3 本章小结
参考文献

第5章 Si基Ge PN结与PIN结构
5.1 Si基Ge原位掺杂Ge PN结的制作
5.2 Si基Ge PN结的I-V特性和C-V特性
5.3 SOI基Ge PIN结构的研制与EL谱
5.4 本章小结
参考文献
……
第6章 总结与展望
展开
加入书架成功!
收藏图书成功!
我知道了(3)
发表书评
读者登录

温馨提示:请使用浙江图书馆的读者帐号和密码进行登录

点击获取验证码
登录